[发明专利]基于MEMS的MARG传感器的自主校准方法在审

专利信息
申请号: 202010029881.5 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111189474A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 刘宇宇;何瑞;董亚军 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01C25/00 分类号: G01C25/00
代理公司: 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 代理人: 蔡龙宝
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了基于MEMS的MARG传感器的自主校准方法,包括三步校准,首先对于三轴加速度计的误差校正,先应用椭球拟合法对加速度计进行误差校正,得到加速度计在经过校正之后提供的重力矢量;接着:对于三轴磁强计的误差校准,以第一步校准得到的加速度计提供的重力矢量作为点积不变法的辅助矢量,对磁强计进行校正;最后,对于三轴陀螺仪的误差标定,利用前面经过校准后的三轴矢量场的测量值作为内部参考基准,用叉积标定法对陀螺仪进行标定。本发明提供的校准方法对于低精度的MEMS传感器的性能提升尤为显著,并且具有低成本的优点。
搜索关键词: 基于 mems marg 传感器 自主 校准 方法
【主权项】:
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