[发明专利]一种基于石墨烯/超材料复合纳米结构的场发射阴极及制备方法在审
| 申请号： | 202010030369.2 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180292A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 徐季;史永佼;张晓兵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;C01B32/16;C01B32/182;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于石墨烯/超材料复合纳米结构的场发射阴极及制备方法，所述基于石墨烯/超材料复合纳米结构包括图案化的垂直碳纳米管阵列或图案化的微尖阵列以及与之复合的石墨烯材料。本发明通过将新型二维材料与图案化碳纳米管、微尖阵列等超材料结构相结合，能够有效地避免阴极表面的静电屏蔽效应，充分地利用边缘效应压缩阴极表面势垒，降低电子发射所需能量的阈值；顶端的石墨烯材料能够实现对发射电子的预聚焦作用，增强发射极顶端的电场强度，从而提高场发射阴极的发射效率和电流密度。具有体积小、响应快、电流密度大、环境耐受以及微加工技术兼容等优势，在高亮度、相干电子源领域有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 材料 复合 纳米 结构 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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