[发明专利]一种TopCon结构太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种TopCon结构太阳能电池制备方法，包括：步骤1，对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面刻蚀之后进行热氧化，形成遂穿氧化层；步骤3，对所述硅片的遂穿氧化层在预定温度下氢气处理预定时间；步骤4，在所述遂穿氧化层沉积非晶硅层；步骤5，对所述非晶硅层进行磷掺杂，形成PSG层，使得掺杂后的所述非晶硅层与所述遂穿氧化层组成TopCon结构。通过采用在氢气氛围中对生长遂穿氧化层的硅片进行处理，减少了硅片氧化层的界面缺陷，提高了硅片表面的钝化质量，使得无需对硅片进行高温退火处理，不会引起掺杂原子对氧化层的破坏作用，提升了太阳能电池的品质。