[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化铂/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于石墨烯/二硒化铂/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法，所述光电探测器以硅/二氧化硅为基底，所述二氧化硅层设置有刻蚀窗口，所述刻蚀窗口中沉积有连续的二硒化铂薄膜层，且二硒化铂薄膜层的边缘伸出刻蚀窗口，平铺于二氧化硅层的上表面，在平铺于二氧化硅层的上表面的二硒化铂薄膜层上设置有上电极，所述硅层下表面设置有下电极，覆盖在刻蚀窗口处的二硒化铂薄膜层上表面覆盖有石墨烯层。该探测器对波长在635nm~2700nm的光信号都有显著的光响应，且具有高灵敏、低暗电流、快速响应和稳定性好等特点。扩展了其应用范围，具有良好的应用前景。