[发明专利]一种BH结构激光器芯片的脊波导结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010032688.7 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111342343A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李紫谦;张恩;许海明 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及信息光电子技术领域，提供了一种BH结构激光器芯片的脊波导结构，包括如下步骤：S1，于InP衬底上进行第一次外延生长，获得第一晶圆结构；S2，在所述第一晶圆结构的上表面进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构；S3，于所述第二晶圆结构的上表面进行第二次外延生长，在生长的过程中加入InGaAsP材料，以获得第三晶圆结构；S4，对所述第三晶圆结构进行脊图形制作，以获得第四晶圆结构；S5，对所述第四晶圆结构进行处理后再进行PN限制层生长，以获得被所述PN限制层包裹且形状为下脊平滑上脊陡的脊波导结构。本发明可制得上脊陡、下脊平滑的脊波导结构，该种脊波导结构适合MOCVD内PN限制层InP材料的生长，并且漏电通道更小，激光器阈值更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bh 结构 激光器 芯片 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
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