[发明专利]集成抗PID装置的板式PECVD系统及钝化镀膜方法在审
申请号: | 202010033705.9 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111206239A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 于义超;陈斌;张俊兵 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/46;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 丛洪杰 |
地址: | 225009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明涉及一种集成抗PID装置的板式PECVD系统及钝化镀膜方法,属于太阳能电池制造技术领域,解决了现有工艺钝化镀膜时间长、钝化仓和PECVD工艺仓温差大,易于出现碎片的问题。本发明的集成抗PID装置的板式PECVD系统,包括进料仓、抗PID装置、PECVD工艺仓和出料仓;抗PID装置包括气瓶、诱导装置和钝化仓;诱导装置能够在常温下诱发O |
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搜索关键词: | 集成 pid 装置 板式 pecvd 系统 钝化 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的