[发明专利]一种双磁芯测量差分泄漏电流传感器设计方法有效

专利信息
申请号: 202010034400.X 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111157777B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 张品佳;陆格野 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01R15/18 分类号: G01R15/18;G01R19/00;G01R31/52;G01R31/56;G01R31/12
代理公司: 北京中创云知识产权代理事务所(普通合伙) 11837 代理人: 徐辉
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种双磁芯测量差分泄漏电流传感器设计方法,建立双磁芯测量差分泄漏电流传感器磁感应强度幅值模型;以检测磁场的强度和信噪比SNR为优化目标,建立双磁芯测量差分泄漏电流传感器优化模型;确定满足优化目标的所述双磁芯测量差分泄漏电流传感器磁感应强度幅值模型的解,进而获得双磁芯测量差分泄漏电流传感器的内、外磁芯的几何尺寸。本发明建立了单相绕组进出线差分电流模型,给出了电缆位置、双磁芯尺寸及材料参数、负荷电流、泄漏电流与求解区域内磁感应强度的解析表达式。本发明方法简单直接,能够给出不同电力设备需求下,基于差分测量方式的双磁芯泄漏电流传感器设计方法。
搜索关键词: 一种 双磁芯 测量 泄漏 电流传感器 设计 方法
【主权项】:
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