[发明专利]一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构在审
| 申请号： | 202010034520.X | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113193102A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王帅杰;关新;王殿明 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙) 11825 | 代理人： | 田江飞 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于发光二极管技术领域，具体公开了一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括结构整体、固定底座、散热部件、调光机构、和光照射出孔，结构整体的顶部外侧固定连接有调光机构，调光机构的底端与结构整体的顶部外侧相连，结构整体的底部固定连接有固定底座，固定底座的外侧顶端与结构整体的底部相连，固定底座设置在结构整体的底部，固定底座与结构整体固定连接，固定底座可以将散热部件和调光机构进行连接固定，且便于结构整体的连接安装与拆卸维修，结构整体内的散热部件通过卡扣式的连接固定，调光机构通过螺纹进行固定，在拆卸时不需要使用工具就能对内部的发光二极管进行拆卸更换，有效的提高了结构整体的安装与拆卸的便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电极 发光二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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