[发明专利]一种硅基环形多波段探测器及其制作方法

摘要

本发明提出一种硅基环形多波段探测器及其制作方法，所述硅基环形多波段探测器自下而上依次为下电极8，P‑硅衬底1，禁带宽度为Eg1的N+硅层2，N+氮化物层3，i‑氮化物层4，禁带宽度为Eg2的P+氮化物层5，上电极6，其中Eg2Eg1；其中所述上电极6位于所述P+氮化物层5端部，中电极7位于所述N+硅层2上靠近端部位置且覆盖部分所述N+氮化物层3端部；所述中电极7和上电极6为环状结构。利用p‑i‑n结二极管实现对日盲紫外波段的探测，利用p‑硅衬底和N+硅衬底形成pn结，实现可见光波段的探测，从而实现了单个器件能够探测两个波段的效果，可大幅缩小探测器的体积，降低制造成本。