[发明专利]一种晶圆减薄设备在审
申请号: | 202010035883.5 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111180366A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 饶正盛 | 申请(专利权)人: | 饶正盛 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201616 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆减薄设备,其结构包括第二透镜、激光束、第一透镜、水槽、静电吸盘座、晶圆,晶圆设在静电吸盘座上,静电吸盘座侧面设有水槽,水槽左侧嵌有第二透镜,第一透镜设在第二透镜左侧,第一透镜左侧设有激光束,静电吸盘座包括座体、增高盘、定位结构,座体内设有定位结构,增高盘设在定位结构下方并安装在座体内,定位结构包括拉动结构、移动结构,拉动结构设在座体中间并与移动结构相连接,本发明的有益效果是:通过挡杆的设置能够防止晶圆被水射的冲击力产生位移,减少晶圆表面的磨损,通过调整挡杆的距离能够适应不同的尺度的晶圆,通过增高盘的旋转能够对挡杆的高度进行调整,防止挡杆高过晶圆。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆减薄 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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