[发明专利]一种厘米级三氧化钼单晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010036020.X 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN113186590B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 陈建翠;鲍丽宏;高鸿钧 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C30B1/06 分类号: C30B1/06;C30B29/16
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种制备厘米级三氧化钼单晶的方法,包括使作为材料源的三氧化钼粉末在空气中重结晶,其中,空气相对于材料源是稳定的、不流动的。本发明以三氧化钼粉末和空气为源,通过简单的实验装置和合成步骤,制备出了厘米级高质量单晶三氧化钼。本发明的方法与溶液反应法、电子束蒸发、化学气相沉积方法相比,本发明的方法设备简单、原料廉价易得且安全环保、操作稳定可靠。本发明的方法制备的单晶三氧化钼具有尺寸大、质量稳定、产率高等优点。同时,本发明制备的单晶三氧化钼在场效应晶体管、催化剂、传感器、光学材料等方面具有潜在而广泛的应用。
搜索关键词: 一种 厘米 氧化钼 制备 方法
【主权项】:
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