[发明专利]一种低温快速制备碳酸根型类水滑石单层纳米片的方法有效
| 申请号： | 202010036384.8 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111153444B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 侯万国;于伟燕;李海平;杜娜 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;C01G51/00;C01F7/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温快速制备碳酸根型类水滑石单层纳米片的方法。以混合溶剂为反应介质，通过调控混合溶剂的组成和配比，在常压下水浴加热反应一步合成碳酸根型HTlc单层纳米片，可分散于水中形成稳定分散体。本发明操作简单，反应温度低，反应时间短，无需复杂的反应设备，成本低廉，所用溶剂环境友好，易于产业化。该方法制备的单层纳米片在储能材料、催化、药物控释、环境保护以及生物化学等方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 制备 碳酸 根型类水 滑石 单层 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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