[发明专利]平坦化方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202010036768.X | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192833B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平坦化方法，包括：提供衬底，于衬底上形成凸起结构；于凸起结构的表面和衬底的上表面形成第一介质层，第一介质层包括覆盖凸起结构的第一凸区域和覆盖衬底的上表面的第一凹区域；至少于第一凸区域的表面形成第一保护层；于第一介质层上和第一保护层的上表面形成第二介质层，第二介质层包括覆盖第一凸区域的第二凸区域和覆盖第一凹区域的第二凹区域；于第二凹区域的表面形成第二保护层；以第二保护层为掩膜，以第一保护层为刻蚀停止层，刻蚀第二介质层，以去除第二凸区域的第二介质层。上述平坦化方法使得在刻蚀第二介质层时，能够以第二保护层为掩膜，以第一保护层为刻蚀停止层，增加了刻蚀的可控性，降低了平坦化的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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