[发明专利]具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010037107.9 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111217604B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 戴中华;谢景龙;樊星;刘卫国 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法,克服了现有技术中钛酸铋钠基储能陶瓷能量存储性能不佳的问题,制备的产品能量存储密度以及效率高、电学稳定性好。本发明的材料化学组成为(1‑x)((Bi0.5‑yLayNa0.5)0.94Ba0.06TiO3)‑xSr(Sc0.5Nb0.5)O3,其中x=0.05‑0.2,y=0.03。该陶瓷的制备工艺简单,可重复性高,对配方组分进行化学比例的计算,称量高纯的原料粉末,经球磨烘干、预烧结、造粒压片、高温烧结,制得具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷。该钛酸铋钠基电子陶瓷材料储能密度最大值为1.83J/cm3,储能效率为83%。
搜索关键词: 具有 高储能 密度 效率 钛酸铋钠基 电子陶瓷 制备 方法
【主权项】:
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