[发明专利]一种单层/少层MXene二维材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010037500.8 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111285359A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李能;曾宪兵 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;H01M4/36;H01M4/587;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;闭钊 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层/少层MXene二维材料的制备方法，该方法首先制备多层MXene并将其分散在水中得到悬浮液，然后对悬浮液进行超声剥离，接着离心分离并真空冷冻干燥，最终得到单层/少层MXene二维材料。与其他方法相比，本发明具有高效快捷、绿色环保、危险系数小、应用广泛、易于实现批量生产等显著优点，制得的单层/少层MXene二维材料导电性优异、体积电容更高、比表面积更大、活性位点更多，在锂离子电池和超级电容器方面应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 mxene 二维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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