[发明专利]一种基于氧化铪转变层的银插层选通器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010037678.2 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111223986B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 马国坤;刘能帆;王浩;陈傲 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于氧化铪转变层的银插层选通器件及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、转变层、银插层和顶电极层；其中：所述底电极材料为氮化钛、钛或铂中的任一种，所述转变层材料为氧化铪薄膜，所述顶电极材料为金属钨、钛或铂中的任一种。本发明制备的选通器件展现了十分小的漏电流，达到pA级别；并且其低阻态电流和高阻态电流之比超过10 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 转变 银插层选通 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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