[发明专利]一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS2有效

专利信息
申请号: 202010038029.4 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111101180B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 李作鹏;杨肖萌;秦君;郭永;冯锋 申请(专利权)人: 山西大同大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C25B1/00;C25B1/50
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 郑晋周
地址: 037009*** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS2薄膜材料的方法,属于二硫化钼薄膜材料的制备技术领域,可解决现有MoS2纳米材料的合成存在成膜温度高、沉积速率低、参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒、需防止环境污染等问题,本发明以四硫代钼酸铵为钼源和硫源,以低共熔离子液体为电解质,在紫铜、黄铜、不锈钢等基底上进行电沉积,制备方法简单快速、薄膜便于控制,为尤其在固体润滑材料、光电池、锂电池和其他方面的广泛应用提供了可能。
搜索关键词: 一种 低共熔 离子 液体 沉积 制备 mos base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西大同大学,未经山西大同大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010038029.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top