[发明专利]一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202010039627.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111170733A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 龙克文;胡锦文 | 申请（专利权）人： | 三桥惠（佛山）新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法，所述介质陶瓷的化学组成符合通式为：Li2(Zn1‑xAx)Ti3+yO8+2y，其中，A为Mg或Co，x的取值范围为0.02≤x≤0.08，y的取值范围为0.13≤y≤0.21。本发明以Li系硅酸盐作为介质陶瓷的主要原料，以Li2ZnTi3O8为基础的晶体结构进行制备，具有理想的介电常数εr和品质因数Q×f，同时其烧结温度较常规温度降低了120‑160℃，保证了陶瓷材料的烧结温度能低于Cu、Ag等的熔点，便于进一步加工，最终得到具有极低介电损耗的介质陶瓷，满足实际使用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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