[发明专利]一种过电压检测传感器加工方法及过电压检测传感器在审
| 申请号： | 202010040196.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111220832A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 彭晶;王科;谭向宇;邓云坤;马仪;赵现平;李昊;刘红文;张文斌;宁友欢 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R3/00 | 分类号： | G01R3/00;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过电压检测传感器加工方法及过电压检测传感器，方法包括：将衬底放置在密闭容器中，预设温度条件下向密闭容器通入硅烷，使得硅烷在衬底表面热分解，在衬底表面得到硅；向密闭容器中通入氧气，使得硅与氧气反应并在衬底表面形成二氧化硅薄膜的中间介质，得到上极板和下极板；将上极板和下极板拼合之后，得到晶片；在晶片的两面喷涂铝，封装入传感器外壳，得到过电压检测传感器。本发明实施例通过在衬底上生长氧化硅薄膜，从而实现自动在两个电极之间形成厚度足够小的薄膜中间介质，与传统的通过手工将薄膜黏覆在电极表面形成低压臂电容器的方法相比，不仅降低加工难度，还能够保证制备的电容式传感器性能的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过电压 检测 传感器 加工 方法 | ||
【主权项】：
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