[发明专利]一种双向散热的纵向氮化镓功率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010040363.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211161A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李柳暗;王启亮;成绍恒;李红东 | 申请（专利权）人： | 中山大学;吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的一种双向散热的纵向氮化镓功率晶体管及其制备方法,属于晶体管制备技术领域。所述的晶体管的结构有硅衬底(1)、导电缓冲层(2)、GaN漂移层(3)、p‑GaN电子阻挡层(4)、GaN沟道层(5)、AlGaN薄势垒层(6)、SiN介质层(7)、本征金刚石层(8)、掺硼金刚石层(9)等；制备方法包括在所述硅衬底(1)上生长AlN/GaN超晶格、沉积GaN、沉积p‑GaN电子阻挡层(4)等步骤。本发明利用超晶格导电缓冲层实现了硅衬底纵向导通GaN功率晶体管，结合薄势垒结构并且利用SiN介质层恢复接入区实现常关型操作。同时基于SiN介质层及硅衬底与金刚石外延生长的兼容性实现了双向散热结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 散热 纵向 氮化 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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