[发明专利]一种硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202010040789.9 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111220636A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京崇智专利代理事务所(普通合伙) 11605 | 代理人： | 赵丽娜 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法，包括以下步骤：(a)对硅衬底样品进行切割、研磨和抛光，清洗和干燥后得到硅衬底横截面样品；(b)所述硅衬底横截面样品采用蚀刻液刻蚀60‑100秒；(c)经清洗和干燥后，应用扫描电子显微镜检测硅衬底内部是否有硅晶体缺陷。本发明提供的硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法，不需要将硅衬底样品表面的各层材料去除，只需要将其切割，然后经研磨和抛光，清洗和干燥后用蚀刻液短时刻蚀，再经清洗和干燥后检测即可观察到硅衬底样品中硅晶体缺陷的深度纵向分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 内部 晶体缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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