[发明专利]半导体装置以及其形成方法在审
| 申请号： | 202010040933.9 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130641A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及其形成方法，该半导体装置，包含基板、栅极电极、第一介电层、源极场板、第二介电层、源极电极以及漏极电极。栅极电极设置于基板上。第一介电层设置于栅极电极上且具有第一凹槽以及第二凹槽。源极场板设置于第一介电层上，且延伸设置于第一凹槽以及第二凹槽内。第二介电层设置于源极场板上。源极电极设置于第二介电层上且与源极场板电连接。漏极电极设置于第二介电层上，且漏极电极与源极电极设置于栅极电极的相对两侧。并且，第一凹槽与第二凹槽位于栅极电极与漏极电极之间。本发明能够降低电场对栅极电极的干扰，还能够减少场板设置的数量，降低栅极电极与漏极区之间产生的电容，以及简化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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