[发明专利]形成全环栅场效应晶体管的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010041201.1 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112242489A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 麦特西亚斯·帕斯拉克;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔;堤姆斯·文森;乔治·瓦伦提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，形成鳍结构。鳍结构包括多个堆叠结构，每个堆叠结构包括介电层、位于介电层上方的CNT、位于CNT上方的支撑层。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构，形成隔离绝缘层，通过图案化隔离绝缘层来形成源极/漏极开口，从源极/漏极开口中的多个堆叠结构的每个去除支撑层，并且在源极/漏极开口中形成源极/漏极接触层。形成源极/漏极接触件，使得源极/漏极接触件仅与CNT的部分直接接触，并且介电层的部分设置在源极/漏极接触件与CNT之间。本发明的实施例还涉及具有全环栅场效应晶体管的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 全环栅 场效应 晶体管 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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