[发明专利]基于Cu的GaN HEMT无金欧姆接触电极的制备方法在审
| 申请号： | 202010041714.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111128709A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杜瑞坤;周炳 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学;宁波海特创电控有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/335;H01L29/45 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 王方华 |
| 地址： | 541000 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于Cu的GaN HEMT无金欧姆接触电极的制备方法,具体步骤包括：对GaN HEMT外延层进行表面处理；形成源漏电极图形；沉积无金源漏电极金属层；life‑off形成源漏金属电极；对沉积源漏电极后的GaN HEMT进行退火处理，形成无金源漏欧姆接触电极。本发明采用磁控溅射Cu薄膜作为欧姆接触帽层金属，通过后期相对较低温度RTA快速退火促进电极层间金属相互发生固相反应，重新结晶，形成欧姆接触；NH |
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| 搜索关键词： | 基于 cu gan hemt 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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