[发明专利]一种基于单片机的提升NORFLASH使用周期的方法有效
| 申请号： | 202010041721.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111208950B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 蒙宇;李云飞 | 申请（专利权）人： | 山西银河电子设备厂 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘瑞东 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于单片机的提升NORFLASH使用周期的方法，属于NORFLASH闪存读写技术领域。本发明为了克服现有的单片机读写NORFLASH时存在的空间利用率不高、可靠性不高的问题，将NORFLASH的空间划分为引导区和数据区，每次在数据区写入L字节的数据，均要在引导区记录一个比特位，通过引导区的比特位可以就算出在数据区读取和写入数据的位置，从而可以将NORFLASH的数据区几乎全部填满时再擦除。本发明增加了NORFLASH的空间利用率、提升NORFLASH使用寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单片机 提升 norflash 使用 周期 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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