[发明专利]室温高自旋霍尔角铂-稀土薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010041791.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111235423B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金立川;朱虹宇;张怀武;唐晓莉;钟智勇;向全军;白飞明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述薄膜材料为生长于基片表面的铂‑稀土合金薄膜，所述铂‑稀土合金薄膜中，稀土元素的摩尔百分比为1mol％～60mol％，铂的摩尔百分比为40mol％～99mol％。本发明提供的一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料及其制备方法，简单可行，制得的铂‑稀土薄膜相对于纯铂薄膜的室温下的自旋霍尔角度显著增加，室温自旋扩散长度减小；与纯铂金材料的自旋霍尔效应相比，自旋流的产生效率增加，成本降低，可实现在大面积半导体晶圆片上的均匀制备，为巨自旋霍尔材料的大面积制备与研究提供了一种新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 自旋 霍尔 稀土 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010041791.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
