[发明专利]面向低功耗电路应用的三节点容错堆栈式D锁存器在审

专利信息
申请号: 202010041903.X 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111193504A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 朱磊 申请(专利权)人: 齐齐哈尔大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 董玉娇
地址: 161006 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 面向低功耗电路应用的三节点容错堆栈式D锁存器,属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗三个节点翻转的D锁存器需要耗费较多硬件、功耗高、面积大和敏感节点数多的问题。本发明包括28个NMOS晶体管N1至N28和22个PMOS晶体管P1至P22,本发明利用辐射粒子入射后产生的瞬态脉冲极性来实现对三个节点的容错,因此,本发明电路中敏感节点数被有效的减少至5个,从而使系统的稳定性有所提高,同时,使用的晶体管数被有效的降低了,进而降低了整个电路的面积和功耗开销;在其传输路径上,输入信号D的信息可以直接通过晶体管P22和N28来传输到节点Q,使得锁存器具有较小的传播延迟。本发明适用于中低频电路中。
搜索关键词: 面向 功耗 电路 应用 节点 容错 堆栈 锁存器
【主权项】:
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