[发明专利]半导体型碳纳米管的获取方法有效
| 申请号： | 202010041960.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113120881B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张科;魏源岐;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;C01B32/159 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体型碳纳米管的获取方法，包括：提供一包括镂空部分和非镂空部分的绝缘基底，在该非镂空部分设置多个电极，且该多个电极被镂空部分间隔开；在设置有电极的绝缘基底上生长多个碳纳米管，该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与电极直接接触，且在所述镂空部分的碳纳米管悬空设置；将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内，并对该腔体抽真空；在任意两个电极之间施加电压，并采用一相机对两个电极之间悬空设置的碳纳米管进行拍照获得碳纳米管照片，其中，碳纳米管照片中亮度较暗的为半导体型碳纳米管，亮度较亮的为金属型碳纳米管；去除所述金属型碳纳米管，获取到半导体型碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 获取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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