[发明专利]GaN HEMT无金低粗糙度欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN HEMT无金低粗糙度欧姆接触电极的制备方法，本发明采用磁控溅射Ti/Al/Pd/W金属薄膜结构，通过后期高温N2氛围下RTA快速退火促进Ti/Al/Pd/W重新结晶，相互发生固相反应，形成欧姆接触电极。传统的Ti/Al/Ni/Au结构在合金过程中，Al处于熔融状态，会形成AlAu2或AlAu4等颗状物，增大欧姆接触电极表面粗糙度，因此合金以后会影响光刻标记识别，一般需要重新制作标记，从而加大了工艺复杂度，降低了光刻对准精度，影响最终成品率，并且粗糙的欧姆接触电极容易引起金属电迁移，影响器件可靠性。同时本发明也明显提升了欧姆接触金属电极的导电性和抗性。