[发明专利]一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底表面形成有SiON氧化层，SiON氧化层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里淀积有N型掺杂GaN层，基区里生长有Ge组分从左至右逐渐变大的P型掺杂Si1‑rGer层且0r1，发射区、基区和集电区表面对应生长有发射极、基极和集电极的电极引出层，各个电极均选用相同的金属硅化物，相邻电极区域之间通过隔离氧化层绝缘隔离。本申请还提供一种前述器件结构制备方法。本申请能提高GaN层和SiGe层的界面特性，提高基区电子迁移率，减小基区渡越时间，提高器件频率使频率特性更加优良，同时利用金属硅化物层还能提高器件开关速度和截止频率。