[发明专利]一种栅极结构的制备方法以及栅极结构在审
| 申请号： | 202010042884.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244165A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周广楠;于洪宇;夏光睿 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种栅极结构的制备方法以及栅极结构，其中栅极结构的制备方法包括：提供外延片，外延片包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和P型栅层；于P型栅层上形成栅极掩膜并刻蚀未被所述栅极掩膜覆盖的P型栅层，漏出势垒层；于漏出的势垒层上进行二次外延生长。通过较薄的势垒层来增加阈值电压，在沟道区域刻蚀P型栅层过后的势垒层表面上选择性二次外延生长新的AlGaN来降低导通电阻和增加饱和电流，可以保证器件有高阈值电压同时，有效的降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 结构 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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