[发明专利]基于无铅钙钛矿薄膜的LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010043850.5 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211248A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 宋继中;赵永丽;董宇辉;马乐;杨林翔;王田田 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于无铅钙钛矿薄膜的LED器件及其制备方法，其步骤为：将空穴传输材料PEDOT:PSS溶液旋涂到洁净的ITO导电玻璃衬底上，并退火；将摩尔比为苯乙基碘化铵:碘化胍:碘化亚锡:氟化锡＝2(1‑x):2x:1:0.1溶解在二甲基亚枫中，其中，x取值为0.1~0.3，搅拌溶解获得钙钛矿前驱体溶液，其浓度为0.2~0.3 mol/L，在上述空穴传输层表面滴加该前驱体溶液进行旋涂，旋涂结束后将其进行退火；依次制备电子传输层、电子注入层和电极，得到所述的LED器件。本发明通过在前驱体溶液中添加GAI并调节其含量来改善无铅钙钛矿薄膜的表面形貌，与传统技术相比，此方法所获得的无铅钙钛矿薄膜更均匀、针孔孔隙更少、缺陷密度更低，显著提升了基于无铅钙钛矿薄膜的LED器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 无铅钙钛矿 薄膜 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010043850.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
