[发明专利]用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法在审
申请号: | 202010044551.3 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111118475A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 刘兴昉;闫果果;申占伟;汪久龙;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法,用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置包括射频感应加热炉和碳化硅桶;射频感应加热炉包括炉腔、由内到外依序位于炉腔内的感应发热体和保温毡;碳化硅桶位于感应发热体内,碳化硅桶的两端分别设置桶盖和相对应的导气管,形成整体件;整体件内部设置为供碳化硅材料生长和后处理区域,用于流通生长性气体或氧化性气体;其中,整体件、感应发热体、保温毡和炉腔内壁之间均存在间隙,形成气体流通通道,用于流通惰性气体以进行气体隔离。本发明既能延长感应发热体和保温毡的使用寿命,也能防止感应发热体和保温毡在高温下析出杂质影响碳化硅材料的制备。 | ||
搜索关键词: | 用于 碳化硅 材料 生长 处理 高温 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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