[发明专利]基于二硫化钼/碳量子点界面层的钙钛矿太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 202010044782.4 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111146343B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 郭文滨;李质奇;刘春雨;李卓伟;董玮;沈亮 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
一种基于二硫化钼/碳量子点界面层以及金纳米粒子包覆碳点修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、PTAA空穴传输层、CNDs@Au修饰层、钙钛矿活性层、PCBM钝化层、MoS@CNDs界面层、BCP电子传输层、Ag阳极组成。本发明通过简单水热方法合成低成本环保型碳量子点材料,利用二维二硫化钼作为载体,制备二硫化钼运载碳量子(MoS@CNDs)的二维新型材料,碳量子点表面羟基与羧基能够有效结合Ag |
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搜索关键词: | 基于 二硫化钼 量子 界面 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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