[发明专利]集成电路结构及其制造方法

摘要

一种方法包括布局标准单元区域，在标准单元区域内具有矩形空间。标准单元区域包括具有面向矩形空间的第一底部边界的第一行标准单元；以及多个标准单元，具有面向矩形空间的侧边界。多个标准单元包括底行的标准单元。在矩形空间中布局存储器阵列，并且底行的第二底部边界和存储器阵列的第三底部边界与同一直线对准。在矩形空间中布局填充单元区域。填充单元区域包括与第一行标准单元的第一底部边界接触的第一顶部边界；以及与存储器阵列的第二顶部边界接触的第四底部边界。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其制造方法。