[发明专利]一种具有背面正负电极的VCSEL器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010045300.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111211481B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 丁维遵;梁栋 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有背面正负电极的VCSEL器件，包括外延层，所述外延层下表面的正极18和负极17；所述外延层上表面通过氧化沟道22限定出的含P型欧姆金属层5的台面结构24和所述台面结构24内的氧化层19限定出的发光区组成VCSEL器件单元；所述台面结构24水平方向一侧的外延层上形成有凹槽23，与凹槽23对应的外延层下表面设有凹部14；所述台面结构24的P型欧姆金属5层通过金属层与凹槽23和凹部14电连接至所述外延层下表面形成所述正极18。本发明通过利用刻蚀正面时先定义与刻蚀凹槽，减少背面刻蚀所需深度，提高刻蚀晶圆均匀性且不增加黄光道数，同时达成P型金属连接效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 背面 正负 电极 vcsel 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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