[发明专利]一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法在审
| 申请号： | 202010046320.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111180314A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;苏永波;丁芃;王大海;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜晶形造成的机械损伤，进而可大幅度提高生产良率。并且，通过有效的减薄工艺，其厚度均匀性得到了大大的改善，结合抛光工艺优化了氧化镓衬底的表面粗糙度，使得金属掩膜的粘附性和形貌大大改善，提高了刻蚀的效果，进而使得散热金属层的可靠性得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 场效应 工艺 改进 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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