[发明专利]用于形成三维存储器器件中的结构增强型半导体插塞的方法有效
| 申请号： | 202010046474.5 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN111244100B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋阳波;吴良辉;汪亚军;张静平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有结构增强型半导体插塞的3D存储器器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了用于形成3D存储器器件的方法。在衬底上形成电介质叠层。电介质叠层包括多个交错的电介质层和牺牲层。形成竖直地延伸穿过电介质叠层的开口。通过去除牺牲层的与开口的侧壁邻接的一部分来形成浅凹槽。牺牲层位于电介质叠层的下部。在该开口的下部形成半导体插塞。半导体插塞的一部分突出到浅凹槽中。沟道结构形成于开口中的半导体插塞上方并与开口中的半导体插塞接触。包括多个导体/电介质层对的存储器叠层是通过用多个导体层替换电介质叠层中的牺牲层而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 三维 存储器 器件 中的 结构 增强 半导体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010046474.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
