[发明专利]一种基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法在审
| 申请号： | 202010046706.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111540668A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;黄森;王鑫华;王大海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，制备出预设厚度＜70μm和预设厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，避免了石英玻璃本身机械性能脆弱易导致晶圆片结构碎裂的风险，可以保证晶圆片结构正面电路的完整性。并且，对多次减薄处理后的石英玻璃进行抛光处理，以使表面粗糙度小于预设阈值，例如表面粗糙度Ra小于1nm，使得散热金属层电镀的致密性大大增加，散热金属层的附着力大大加强，有效改善了晶圆片结构工作时的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石英玻璃 外延 gan 工艺 改进 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
