[发明专利]一种NAND闪存错误率预测方法及系统有效
| 申请号： | 202010046777.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111459706B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吴非;刘伟华;朱奥;刘嘉宏;谢长生 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存错误率预测方法及系统，属于计算机存储领域，包括：从NAND闪存的历史数据中获取M个前期干扰特征，及各前期干扰特征所对应的原始比特错误率，将前期干扰特征及其对应的原始比特错误率作为一条预测样本，从而得到M条预测样本；将预测样本输入已训练好的错误率预测模型中，预测N个后期干扰特征所对应的原始比特误码率；其中，干扰特征为影响NAND闪存原始比特错误率的特征或特征组合；错误率预测模型为多输入多输出模型，用于根据前期的干扰特征及对应的原始比特误码率预测后期干扰特征所对应的原始比特误码率。本发明能够预测NAND闪存的错误率，并预测出NAND闪存错误率的变化趋势，为数据存储安全提供量化的、可靠的判断依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 错误率 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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