[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010047731.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN112420659A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 胡致嘉;陈宪伟;陈明发;詹森博 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底、多个内连层、第一连接件及第二连接件。半导体衬底在所述半导体衬底中包括多个半导体器件。内连层设置在半导体衬底之上且电耦合到半导体器件。第一连接件设置在所述多个内连层之上且延伸到与所述多个内连层的第一层级接触。第二连接件设置在所述多个内连层之上且与第一连接件实质上齐平。第二连接件比第一连接件延伸得更远，以与位于所述多个内连层的第一层级与半导体衬底之间的所述多个内连层的第二层级接触，第一连接件宽于第二连接件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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