[发明专利]用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010048712.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111463127A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李政哲;陈林谦 | 申请（专利权）人： | 瀚源生医股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 中国台湾新竹县竹北市生*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置及其制造方法。所述方法包含：提供衬底；在所述衬底的控制区域上方形成第一参考特征；在所述第一参考特征上方形成可蚀刻层并且在所述衬底上方形成目标区域；图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述控制区域上方的第一开口以及投影在所述目标区域上方的第二开口；以及穿过所述第一开口和所述第二开口移除所述可蚀刻层的一部分直至到达所述第一参考特征。还公开了通过多水平蚀刻制造的半导体感测装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 水平 蚀刻 方法 半导体 装置 及其 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
