[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010048795.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130312B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;涂武涛;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成伪栅极结构；在所述衬底以及所述伪栅极结构上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面形成保护层；在所述保护层表面形成牺牲层，所述牺牲层顶部与所述伪栅极结构顶部表面齐平；依次刻蚀所述保护层以及所述刻蚀停止层，至所述保护层顶部、所述刻蚀停止层顶部与所述伪栅极结构顶部表面齐平；去除所述牺牲层；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅极结构顶部；去除所述伪栅极结构，形成开口；在所述开口中填充满金属，形成金属栅极。本发明实施例提供的形成方法，使金属栅极的形成高度更易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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