[发明专利]一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法有效

专利信息
申请号: 202010049214.3 申请日: 2020-01-16
公开(公告)号: CN111211135B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 王兴晟;余豪;王成旭;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L27/1159 分类号: H01L27/1159;G11C11/22;G11C11/56
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 张英
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法及其对应的存储单元、存储器。该多值存储单元包括N个铁电功能层;N个铁电功能层分别具有不同的矫顽场值,以使N个铁电功能层在施加第一激励后仍呈现出不同的剩余极化差异,进而在第二激励作用下所述多值存储单元呈现2N种隧穿阻态;其中,N为大于等于2的整数,且第一激励包括改变驱动激励的大小和驱动激励的方向。本发明的非对称铁电隧穿结多值存储单元具有非易失、读取功耗低的特点;同时在一个存储单元中可以实现多种不同的存储状态,大幅度提高了存储密度以及单位存储容量。
搜索关键词: 一种 对称 铁电隧穿结多值 存储 单元 调制 方法
【主权项】:
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