[发明专利]半导体处理装置和利用静电放电(ESD)防止层的方法有效
| 申请号： | 202010051533.8 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111834187B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 洪蔡豪;柯柄成;林子扬;刘芳瑜;吴承翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/32;H01L21/687;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体处理装置和方法，其中，静电放电(ESD)防止层用于防止或减少在半导体晶圆和装置的一个或多个组件之间发生的ESD事件。在一些实施例中，一种半导体处理装置包括晶圆处理结构，晶圆处理结构配置为在半导体晶圆的处理期间支撑半导体晶圆。装置还包括位于晶圆处理结构上的ESD防止层。ESD防止层包括第一材料和第二材料，并且第二材料的电导率大于第一材料的电导率。本发明的实施例还涉及利用静电放电(ESD)防止层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 利用 静电 放电 esd 防止 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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