[发明专利]集成有波导的低维材料异质结光电探测器有效
申请号: | 202010053655.0 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111180545B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 蒋青松;吴静;白雨驰;张宇林;季仁东;周广宏 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人: | 廖娜;李锋 |
地址: | 223005 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及集成芯片领域,公开了一种集成有波导的低维材料异质结光电探测器,包括:衬底(1),形成于衬底(1)上的光波导(2),设置在光波导(2)的光耦合输入端(3)的1×2光分束器(4),覆盖在光波导(2)表面上的低维材料异质结薄膜(5),在低维材料异质结薄膜(5)两端、光波导(2)两侧还分别覆盖正电极(6)和负电极(7);低维材料异质结薄膜(5)与光波导(2)的传输方向垂直设置;在光波导(2)与低维材料异质结薄膜(5)的相互作用区,光波导(2)为两个锥型波导结构相对设置的结构。通过本方法制备的光电探测器能够探测出高功率和多波段的光信号,响应度较高,光‑电响应带宽较大。 | ||
搜索关键词: | 集成 波导 材料 异质结 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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