[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010054215.7 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111223872B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，包括在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括由在第一方向上连续延伸的多个第二栅线缝隙分割成的存储区块，存储区块的通孔区域中形成有阵列分布的沟道结构，并且在存储区块的通孔区域中还形成有在第一方向上延伸并且间隔分布的第一栅线缝隙，该第一栅线缝隙可以是形成在通孔区域的沟道结构中间的通孔。该第一栅线缝隙有利于通孔区域内排沟道结构附近的外延结构的生长，因此内排沟道结构附近不会出现空隙，由此避免器件后期出现漏电等风险。另外，同时通过该第一栅线缝隙与第二栅线缝隙去除堆叠结构中的牺牲层，能够显著减少去除牺牲层所需的时间，同时有利于栅极导电材料的形成，相应地也就能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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