[发明专利]层状三元过渡金属碲化物单晶体、其制备方法及其应用在审
申请号: | 202010054340.8 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN113136624A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 吴长征;郭宇桥;吴俊驰;谢毅 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;C30B1/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 付丽 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法,包括以下步骤:将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热,反应,得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体;本发明制备的层状三元过渡金属碲化物基单晶体可生长为针状单晶,带状单晶或片状单晶。本发明提供的制备方法具有工艺简单可行、产率高、结晶性好且可扩大规模生产的优点,非常适用于三元碲化物的基础研究和实际应用。 | ||
搜索关键词: | 层状 三元 过渡 金属 碲化物 单晶体 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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