[发明专利]具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010055077.4 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111261357A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 沈晨懂;严露;沈嘉伟;杨盼文 申请(专利权)人: 浙江东睦科达磁电有限公司
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;H01F1/26;H01F41/02
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王静
地址: 313299 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯的制备方法,该方法包括如下步骤:将Fe、Si、Al、Ni按照比例投入冶炼炉其中,Si占比为3%‑15%,Al占比为3%‑10%,Ni占比为10‑25%,余量为Fe,使用气雾化喷粉;使用大于200目的筛网过筛,将得到的‑200目铁硅铝镍粉末焙炒加入磷酸稀释液进行表面处理,加入有机硅树脂稀释溶液;加入硬脂酸酰胺或硬脂酸钙作为润滑剂;铁硅铝镍粉末进行压制成型,成型压力在15‑26吨/cm2;对成型后的磁芯进行热处理,控制温度在600‑900℃之间,并向炉内通入氮气作为保护,时间为60‑150分钟;将环氧树脂漆涂覆在材料表面,得到成品。
搜索关键词: 具有 损耗 良好 直流 偏置 铁硅铝镍磁芯 及其 制备 方法
【主权项】:
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