[发明专利]具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯及其制备方法在审
申请号: | 202010055077.4 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111261357A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 沈晨懂;严露;沈嘉伟;杨盼文 | 申请(专利权)人: | 浙江东睦科达磁电有限公司 |
主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;H01F1/26;H01F41/02 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王静 |
地址: | 313299 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明提供一种具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯的制备方法,该方法包括如下步骤:将Fe、Si、Al、Ni按照比例投入冶炼炉其中,Si占比为3%‑15%,Al占比为3%‑10%,Ni占比为10‑25%,余量为Fe,使用气雾化喷粉;使用大于200目的筛网过筛,将得到的‑200目铁硅铝镍粉末焙炒加入磷酸稀释液进行表面处理,加入有机硅树脂稀释溶液;加入硬脂酸酰胺或硬脂酸钙作为润滑剂;铁硅铝镍粉末进行压制成型,成型压力在15‑26吨/cm |
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搜索关键词: | 具有 损耗 良好 直流 偏置 铁硅铝镍磁芯 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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