[发明专利]一种片上微型电子源及制造方法、电子源系统、电子设备在审

专利信息
申请号: 202010055354.1 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113140434A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 魏贤龙 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01J3/02 分类号: H01J3/02;H01J9/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郭化雨
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备,其中片上微型电子源包括衬底,衬底上形成有驱动电极对,驱动电极对存在间隙,间隙中形成有电子隧穿结,驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子束,在衬底上方可以固定聚焦电极,聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道,用于在电子束通过时减小电子束的束斑尺寸。也就是说,本申请实施例中,可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子束,电子隧穿结无需穿过多个材料层,具有更高的发射效率,通过聚焦电极可以对电子束进行聚集,从而减小电子束的束斑尺寸,这样可以得到发射电流较大,且束斑尺寸较小的电子束。
搜索关键词: 一种 微型 电子 制造 方法 系统 电子设备
【主权项】:
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